功能陶瓷
精密结构陶瓷与功能陶瓷材料，具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、高绝缘等优异特性。
产品概述
精密结构陶瓷与功能陶瓷材料，具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、高绝缘等优异特性。
详细介绍
氧化铝陶瓷
1.特点：氧化铝陶瓷是以氧化铝为主料，经1600–1800°C高温烧结而成的无机非金属材料。按Al₂O₃含量分为95瓷、99瓷、99.5瓷、99.7瓷等等级，含量越高性能越优。它是目前产量最大、应用最广的工程陶瓷。
2.产品
等级 | Al₂O₃含量 | 主要特点 | 典型应用 |
95瓷 | ≥95% | 成本低，综合性能良好，易加工 | 电子基板、绝缘子、结构件 |
99瓷 | ≥99% | 高硬度、高绝缘、高耐腐蚀 | 精密轴承、真空器件、化工填料 |
99.5瓷 | ≥99.5% | 极低杂质，透光性开始出现 | 高压钠灯管、蓝宝石 precursor |
99.7瓷 | ≥99.7% | 接近理论密度，生物相容性 | 人工关节、高端半导体设备部件 |
氮化铝陶瓷
1.特点：氮化铝陶瓷是以氮化铝（AlN）为主晶相，经1800–1950°C高温烧结（通常添加Y₂O₃等烧结助剂）制成的共价键化合物陶瓷。其热导率居陶瓷材料前列，热膨胀系数与硅高度匹配，是大功率半导体封装和高端导热基板的核心材料。
2.产品
等级 | 热导率 | 核心优势 | 典型场景 |
普通级 | 150–170 W/(m·K) | 性价比高，工艺成熟 | 一般LED基板、功率模块 |
中等级 | 170–200 W/(m·K) | 导热与强度均衡 | IGBT模块、微波器件 |
高导热级 | >200 W/(m·K) | 接近理论极限 | 高端半导体封装、航空航天 |
碳化硅陶瓷
1.特点：碳化硅陶瓷是以碳化硅（SiC）为主晶相，经2000–2200°C高温烧结（反应烧结、无压烧结或热压烧结等）制成的共价键化合物陶瓷。按烧结方式分为反应烧结碳化硅（RSSiC）、无压烧结碳化硅（SSiC）、热压烧结碳化硅（HPSiC）等。它是目前综合性能最优异的工程陶瓷之一，被誉为"非氧化物陶瓷之王"，同时也是第三代半导体的核心材料。
2.产品
等级 | 核心特点 | 典型场景 |
反应烧结SiC | 含游离硅，易精密加工，成本较低 | 密封环、泵部件、防弹板 |
无压烧结SiC | 密度高、耐腐蚀优、性能均衡 | 轴承、喷嘴、半导体设备部件 |
热压烧结SiC | 密度最高、性能最优，成本较高 | 高端装甲、精密光学反射镜 |
重结晶SiC | 多孔结构，超耐高温，抗蠕变 | 高温窑具、热电偶保护管、燃烧器 |
导电陶瓷
1.特点：铬酸镧陶瓷是以铬酸镧（LaCrO₃）为主晶相的钙钛矿型（ABO₃）导电陶瓷，通常经1600–1800°C高温烧结制成，并通过Sr、Ca、Mg等元素掺杂调控电学性能。它是极少数能在超高温氧化气氛下保持导电性的陶瓷材料，兼具耐高温与电子导电双重特性，是高温发热体和固体氧化物燃料电池（SOFC）的关键材料。。
2.技术指标
项目 | 参数 |
主成分 | LaCrO₃（可掺杂Sr、Ca、Co等） |
晶体结构 | 钙钛矿型（正交畸变） |
密度 | 6.3–6.5 g/cm³（理论密度6.52） |
抗弯强度 | 120–200 MPa |
热膨胀系数 | 9.0–10.5 ×10⁻⁶/°C（25–1000°C） |
热导率 | 2–3 W/(m·K) |
电导率（1000°C） | 1–10 S/cm（Sr掺杂后可达10–30 S/cm） |
最高使用温度 | 1800°C（发热体）/ 1000°C（SOFC工况） |
纯度 | ≥99% |
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